反應中碳化矽的產生和破壞的原因是什麽？

發布日期：2018-11-12 作者：點擊：

冶煉矽鐵時在反應中的二氧化矽首先破壞被還原成一氧化矽。部分的一氧化矽氣體在上升過程中與料層中焦炭接觸並作用後，較易生成碳化矽。其反應如下：

SiO+2C=SiC+CO↑

冶煉過程中，焦炭加入量過多時，更易產生碳化矽。其反應式如下：

SiO2+3C=SiC+2CO↑

往往在修爐時於料層內部發現大量碳化矽﹙冷卻後呈褐色，稍有光澤並是針狀結晶﹚，說明產生碳化矽的反應是存在的，並且是中間產物。

碳化矽SiC的熔點約為2500℃，不易熔化，電阻小，導電性強。因此，爐中積存過多碳化矽，使爐況惡化。雖然碳化矽易產生，但在冶煉中由於爐料中有鋼屑，碳化矽較輕易被鐵﹙Fe﹚破壞，其反應式如下：

SiC+Fe=FeSi+C

冶煉45矽鐵，因爐料中鋼屑較多，碳化矽更易破壞，所以，碳化矽對爐況沒有影響。碳化矽在高溫時，還可被二氧化矽所破壞，其反應式如下：

SiO2+2SiC=3 Si+2CO↑

2SiO2+SiC=3SiC+CO↑

較大容量矽鐵電爐，因爐溫高，碳化矽更易被破壞。碳化矽在高溫時還可以被一氧化矽破壞，其反應式如下：

SiO+SiC=2Si+CO↑

較小容量的電爐中冶煉矽鐵時，由於爐內溫度較低，破壞碳化矽的反應，不易充分進行，因此，有時有較多的碳化矽存在爐內，因它的熔點高，導電性強，致使電極不能較深地插入爐內，造成爐況惡化。此種情況在較小容量的矽鐵電爐是比較經常發現的，為了糾正這種不正常現象，應將爐中碳化矽盡量掘出，或附加些鋼屑破壞碳化矽，同時適當地減少焦炭加入量，以改善爐況。